制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
EFC4626R-TR
FET 类型 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss） -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 7.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） -
功率 - 最大值 1.4W
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 4-XFBGA
供应商器件封装 -
公司简介：
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