制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPW60R070P6XKSA1
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 53.5A（Tc）
驱动电压（ Rds On，Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 70毫欧 @ 20.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.5V@ 1.72mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 100nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 4750pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（值） 391W（Tc）
工作温度 -55°C~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
公司简介：
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