制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商零件编号
TPH1R403NL,L1Q
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）
驱动电压（ Rds On，Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.4毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.3V@ 500μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 46nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 4400pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.6W（Ta），64W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOPAdvance（5x5）
封装/外壳 8-PowerVDFN
公司简介：
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