制造商
ONSemiconductor
制造商零件编号
NTR1P02LT1G
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.3A（Ta）
驱动电压（ Rds On，Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 220毫欧 @ 750mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.25V@ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 5.5nC @ 4V
Vgs（值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 225pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散（值） 400mW（Ta）
工作温度 -55°C~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
公司简介：
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