制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
FD200R12KE3HOSA1
包装托盘
Product Status在售
IGBT 类型沟槽型场截止
配置单斩波器
电压 - 集射极击穿（大值）1200V
功率 - 大值1050 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（大值）2.15V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（大值）5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)14nF @ 25 V
输入标准
NTC 热敏电阻无
工作温度-40°C ~ 125°C
安装类型底座安装
封装/外壳模块
供应商器件封装模块
公司简介：
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