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技术资料 / Data

SQM40031EL_GE3 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

2022/1/15 17:03:30 SQM40031EL_GE3

制造商

Vishay Siliconix

制造商产品编号

SQM40031EL_GE3

 

包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

FET 类型P 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)800 nC @ 10 V

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)39000 pF @ 25 V

FET 功能-

功率耗散(最大值)375W(Tc)

工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装TO-263(D²Pak)

封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB