制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRFP250NPBF
包装管件
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)75 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)123 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2159 pF @ 25 V
FET 功能-
功率耗散(最大值)214W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247AC
封装/外壳TO-247-3