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技术资料 / Data

晶体管 - FET,MOSFET - 单个 SI7461DP-T1-GE3

2021/12/18 17:23:18 SI7461DP-T1-GE3

制造商

Vishay Siliconix

制造商产品编号

SI7461DP-T1-GE3

 

包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

FET 类型P 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8.6A(Ta)

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)14.5 毫欧 @ 14.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(大值)3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)190 nC @ 10 V

Vgs(大值)±20V

FET 功能-

功率耗散(大值)1.9W(Ta)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PowerPAK® SO-8

封装/外壳PowerPAK® SO-8