制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

NDP6060L

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    48A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）      5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      20 毫欧 @ 24A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  2V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    60nC @ 5V

Vgs（最大值）     ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  2000pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    100W（Tc）

工作温度       -65°C~ 175°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220-3

封装/外壳      TO-220-3

公司简介：

深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商，服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家知名品牌，可订购500多万种在线产品，为客户提供一站式采购平台，欢迎垂询！