制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

NDS352P

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    850mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）      4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      350 毫欧 @ 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    4nC @ 5V

Vgs（最大值）     ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  125pF @ 10V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    500mW（Ta）

工作温度       -55°C~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    SuperSOT-3

公司简介：

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