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技术资料 / Data

STQ1NK80ZR-AP

2020/12/18 17:36:27 STQ1NK80ZR-AP

制造商   

STMicroelectronics

制造商零件编号   

STQ1NK80ZR-AP

 

一般信息

数据列表       STx1NK80ZR(R-AP,-1);

标准包装     2,000

包装      带盒(TB) 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列       SuperMESH™

其它名称       497-6197-3

STQ1NK80ZRAP

 

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)       800V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    300mA(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)      16 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)  4.5V @ 50μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)    7.7nC @ 10V

Vgs(最大值)     ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)  160pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散(最大值)    3W(Tc)

工作温度       -55°C~ 150°C(TJ)

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-92-3

封装/外壳      TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)

 

公司简介:

深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商,服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家知名品牌,可订购500多万种在线产品,为客户提供一站式采购平台,欢迎垂询!