制造商   

STMicroelectronics

制造商零件编号   

STD12NF06LT4

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    12A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）      5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      100 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  2V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    10nC @ 5V

Vgs（最大值）     ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  350pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    42.8W（Tc）

工作温度       -55°C~ 175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    DPAK

封装/外壳      TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

公司简介：

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