制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
2N7002WT1G
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 310mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) .7nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 24.5pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 280mW(Tj)
工作温度 -55°C~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SC-70-3(SOT323)
封装/外壳 SC-70,SOT-323
公司简介:
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