制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

FDG6332C

FET 类型       N 和 P 沟道

FET 功能       逻辑电平门

漏源电压（Vdss）       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    700mA，600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      300 毫欧 @ 700mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    1.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  113pF @ 10V

功率 - 最大值     300mW

工作温度       -55°C~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装    SC-88（SC-70-6）

公司简介：

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