制造商   

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号   

2SC5084-O(TE85L,F)

晶体管类型    NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）  12V

频率 - 跃迁  7GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）      1.1dB @ 1GHz

增益       11dB

功率 - 最大值     150mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）   80 @ 20mA，10V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）   80mA

工作温度       125°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装    S-Mini

公司简介：

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