制造商
Microchip Technology
制造商零件编号
TC6215TG-G
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 120pF @ 25V
功率 - 最大值 -
工作温度 -55°C~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
公司简介:
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