制造商
Nexperia USA Inc.
制造商零件编号
PMV160UP,215
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 210 毫欧 @ 1.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 365pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 335mW(Ta),2.17W(Tc)
工作温度 -55°C~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-236AB
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
公司简介:
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