制造商  

Vishay Siliconix

制造商零件编号  

SQD50P08-28_GE3

FET 类型     P 通道

技术      MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）     80V

25°C 时电流- 连续漏极 (Id) 48A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）   28 毫欧@ 12.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）     3.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 145nC @ 10V

Vgs（最大值）   ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）     6035pF @ 25V

FET 功能     -

功率耗散（最大值）   136W（Tc）

工作温度      -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型      表面贴装型

供应商器件封装   TO-252AA

封装/外壳    TO-252-3，DPak（2引线 + 接片），SC-63

公司简介：

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