制造商
Renesas Electronics America
制造商零件编号
2SJ687-ZK-E1-AY
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7 毫欧 @ 10A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 57nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4400pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta),36W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252(MP-3ZK)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
公司简介:
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