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技术资料 / Data

RSS065N03TB

2020/9/18 16:42:32 RSS065N03TB

制造商      

Rohm Semiconductor

制造商零件编号        

RSS065N03TB

 

FET 类型   N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)     30V

25°C 时电流- 连续漏极 (Id)    6.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)         26 毫欧 @ 6.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)      6.1nC@ 5V

Vgs(最大值)  ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)     430pF@ 10V

FET 功能   -

功率耗散(最大值) 2W(Ta)

工作温度   150°C(TJ)

安装类型   表面贴装型

供应商器件封装         8-SOP

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

 

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