制造商      

Infineon Technologies

制造商零件编号        

IPB016N06L3GATMA1

FET 类型   N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）      60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)      180A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）    4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.6 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）   2.2V @ 196μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）        166nC @ 4.5V

Vgs（最大值）  ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）      28000pF @ 30V

FET 功能   -

功率耗散（最大值） 250W（Tc）

工作温度   -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型   表面贴装型

供应商器件封装         PG-TO263-7

封装/外壳 TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）

公司简介：
深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商，服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家知名品牌，可订购500多万种在线产品，为客户提供一站式采购平台，欢迎垂询！