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技术资料 / Data

2SK3566(STA4,Q,M)

2020/9/8 18:18:47 2SK3566(STA4,Q,M)

制造商   

Toshiba Semiconductorand Storage

制造商零件编号   

2SK3566(STA4,Q,M)

 

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)       900V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    2.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)      10V

不同Id、Vgs 时导通电阻(最大值)      6.4 欧姆 @ 1.5A,10V

不同Id 时 Vgs(th)(最大值)  4V @ 1mA

不同Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)    12nC @ 10V

Vgs(最大值)     ±30V

不同Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)  470pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散(最大值)    40W(Tc)

工作温度       150°C(TJ)

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220SIS

封装/外壳      TO-220-3 整包

 

 

公司简介:
深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商,服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家知名品牌,可订购500多万种在线产品,为客户提供一站式采购平台,欢迎垂询!