制造商   

NXP USA Inc.

制造商零件编号   

BSH112,235

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    300mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）      4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  2V @ 1mA

Vgs（最大值）     ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  40pF @ 10V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    830mW（Tc）

工作温度       -65°C~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    TO-236AB（SOT23）

封装/外壳      TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

公司简介：
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