制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IRF5802TRPBF

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       150V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    900mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      1.2 欧姆 @ 540mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  5.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    6.8nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  88pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    2W（Ta）

工作温度       -55°C~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    Micro6™（TSOP-6）

封装/外壳      SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

公司简介：
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