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技术资料 / Data

NAND01GW3B2CN6E

2020/8/31 18:48:01 NAND01GW3B2CN6E

制造商   

Micron Technology Inc.

制造商零件编号   

NAND01GW3B2CN6E

 

存储器类型    非易失

存储器格式    闪存

技术       闪存 - NAND

存储容量       1Gb(128M x 8)

存储器接口    并联

写周期时间 - 字,页  25ns

访问时间       25ns

电压 - 供电  2.7V ~ 3.6V

工作温度       -40°C~ 85°C(TA)

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

供应商器件封装    48-TSOP

 

公司简介:
贸泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。