制造商   

Vishay Siliconix

制造商零件编号   

SIR164DP-T1-GE3

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）      4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      2.5 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    123nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  3950pF @ 15V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    5.2W（Ta），69W（Tc）

工作温度       -55°C~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    PowerPAK®SO-8

封装/外壳      PowerPAK® SO-8

公司简介：
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