制造商   

Texas Instruments

制造商零件编号   

CSD17308Q3

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    14A（Ta），44A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）      3V，8V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      10.3 毫欧 @ 10A，8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  1.8V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    5.1nC @ 4.5V

Vgs（最大值）     +10V，-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  700pF @ 15V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    2.7W（Ta）

工作温度       -55°C~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    8-VSON-CLIP（3.3x3.3）

封装/外壳      8-PowerTDFN

公司简介：
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