banner

产品搜索

库存索引 : a b c d e f g h i j k l m n o p q r s t u v w x y z 1 2 3 4 5 6 7 8 9

产品分类 / Products

您现在所在位置:首页 > 技术资料 > FDP032N08B-F102

技术资料 / Data

FDP032N08B-F102

2020/8/15 11:53:52 FDP032N08B-F102

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

FDP032N08B-F102

 

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)       80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)      3.3 毫欧 @ 100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)  4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)    144nC @ 10V

Vgs(最大值)     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)  10965pF @ 40V

FET 功能       -

功率耗散(最大值)    263W(Tc)

工作温度       -55°C~ 175°C(TJ)

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220-3

封装/外壳      TO-220-3

 

公司简介:

贸泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。