制造商   

Diodes Incorporated

制造商零件编号   

DMG6601LVT-7

FET 类型       N 和 P 沟道

FET 功能       逻辑电平门

漏源电压（Vdss）       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    3.8A，2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      55 毫欧 @ 3.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    12.3nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  422pF @ 15V

功率 - 最大值     850mW

工作温度       -55°C~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装    TSOT-26

公司简介：

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