制造商   

Diodes Incorporated

制造商零件编号   

DMN2004K-7

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    630mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）      1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      550 毫欧 @ 540mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  1V @ 250μA

Vgs（最大值）     ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  150pF @ 16V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    350mW（Ta）

工作温度       -65°C~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    SOT-23-3

封装/外壳      TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

公司简介：

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