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技术资料 / Data

KSB596YTU ON

2020/8/5 15:31:00 KSB596YTU

制造商   

ONSemiconductor

制造商零件编号   

KSB596YTU

一般信息

数据列表       KSB596;

TO220B03 PkgDrawing;

标准包装      1,000

包装      管件 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

系列       -

 

规格

晶体管类型    PNP

电流 - 集电极 (Ic)(值)   4A

电压 - 集射极击穿(值)  80V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(值)       1.7V @ 300mA,3A

电流 - 集电极截止(值)  70μA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(值)   120 @ 500mA,5V

功率 - 值     30W

频率 - 跃迁  3MHz

工作温度       150°C(TJ)

安装类型       通孔

封装/外壳      TO-220-3

供应商器件封装    TO-220-3

公司简介:公司简介:

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