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技术资料 / Data

SI7116DN-T1-GE3 VishaySiliconix

2020/8/5 15:26:23 SI7116DN-T1-GE3

制造商   

VishaySiliconix

制造商零件编号   

SI7116DN-T1-GE3

一般信息

数据列表       Si7116DN;

标准包装      3,000

包装      标准卷带 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列       TrenchFET®

其它名称       SI7116DN-T1-GE3TR

SI7116DNT1GE3

 

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)       40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    10.5A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On)      4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(值)      7.8 毫欧 @ 16.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(值)  2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)    23nC@ 4.5V

Vgs(值)     ±20V

FET 功能       -

功率耗散(值)    1.5W(Ta)

工作温度       -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    PowerPAK® 1212-8

封装/外壳      PowerPAK® 1212-8

公司简介:公司简介:

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