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技术资料 / Data

SSM3J334R,LF

2020/8/5 14:38:54 SSM3J334R,LF

制造商   

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号   

SSM3J334R,LF

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    4A(Ta)

驱动电压( Rds On,Rds On)      4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(值)      71 毫欧 @ 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(值)  2V @ 100μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)    5.9nC @ 10V

Vgs(值)     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)  280pF @ 15V

FET 功能       -

功率耗散(值)    1W(Ta)

工作温度       150°C(TJ)

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    SOT-23F

封装/外壳      SOT-23-3 扁平引线

 

公司简介:
贸泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。