制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IRLU024NPBF

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  17A（Tc）

驱动电压（ Rds On，Rds On）      4V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）   65毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）  2V@ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）    15nC @ 5V

Vgs（值）     ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）    480pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（值）    45W（Tc）

工作温度       -55°C~ 175°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    IPAK（TO-251）

封装/外壳      TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

公司简介：

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