制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IRLR8726TRPBF

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  86A（Tc）

驱动电压（ Rds On，Rds On）      4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）   5.8毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）  2.35V@ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）    23nC @ 4.5V

Vgs（值）     ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）    2150pF @ 15V

FET 功能       -

功率耗散（值）    75W（Tc）

工作温度       -55°C~ 175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    D-Pak

封装/外壳      TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

公司简介;

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