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技术资料 / Data

IRLR3915TRPBF 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

2020/6/22 14:18:48 IRLR3915TRPBF

制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IRLR3915TRPBF

 

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)       55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  30A(Tc)

驱动电压( Rds On,Rds On)      5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)   14毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值)  3V@ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)    92nC @ 10V

Vgs(值)     ±16V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)    1870pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散(值)    120W(Tc)

工作温度       -55°C~ 175°C(TJ)

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    D-Pak

封装/外壳      TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

 

公司简介:

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