制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRLR3114ZTRPBF
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 42A(Tc)
驱动电压( Rds On,Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 4.9毫欧 @ 42A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.5V@ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 56nC @ 4.5V
Vgs(值) ±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 3810pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 140W(Tc)
工作温度 -55°C~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
公司简介:
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