制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IRFS4229TRLPBF

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  45A（Tc）

驱动电压（ Rds On，Rds On）      10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）   48毫欧 @ 26A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）  5V@ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）    110nC @ 10V

Vgs（值）     ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）    4560pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（值）    330W（Tc）

工作温度       -40°C~ 175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    D2PAK（TO-263AB）

封装/外壳      TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

 推荐型号：

IRFS7437TRLPBF

IRFS7530TRL7PP

IRFS7734TRLPBF

公司简介：

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