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技术资料 / Data

IRFS3006TRLPBF 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

2020/6/22 13:44:30 IRFS3006TRLPBF

制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IRFS3006TRLPBF

 

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)       60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  195A(Tc)

驱动电压( Rds On,Rds On)      10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)   2.5毫欧 @ 170A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值)  4V@ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)    300nC @ 10V

Vgs(值)     ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)    8970pF @ 50V

FET 功能       -

功率耗散(值)    375W(Tc)

工作温度       -55°C~ 175°C(TJ)

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    D2PAK

封装/外壳      TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

 

公司简介:

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