制造商   

InfineonTechnologies

制造商零件编号   

IRFH5006TRPBF

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       60V

电流 -连续漏极（Id）（25°C 时）  21A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）     10V

不同Id，Vgs 时的 Rds On（值）  4.1 毫欧 @ 50A，10V

不同Id 时的 Vgs（th）（值）  4V @ 150μA

不同Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）   100nC @ 10V

Vgs（值）     ±20V

不同Vds 时的输入电容（Ciss）（值）    4175pF @ 30V

FET 功能       -

功率耗散（值）    3.6W（Ta），156W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    8-PQFN（5x6）

封装/外壳      8-PowerTDFN

公司简介：

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