制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IPP029N06NAKSA1

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  24A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（ Rds On，Rds On）      6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）   2.9毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）  2.8V@ 75μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）    56nC @ 10V

Vgs（值）     ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）    4100pF @ 30V

FET 功能       -

功率耗散（值）    3W（Ta），136W（Tc）

工作温度       -55°C~ 175°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    PG-TO220-3

封装/外壳      TO-220-3

公司简介：

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