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技术资料 / Data

BSC027N04LSGATMA1 IR 晶体管

2020/6/18 15:32:52 BSC027N04LSGATMA1

制造商   

Infineon Technologies

 

制造商零件编号   

BSC027N04LSGATMA1

 

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)       40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  24A(Ta),100A(Tc)

驱动电压( Rds On,Rds On)      4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)   2.7毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值)  2V@ 49μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)    85nC @ 10V

Vgs(值)     ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)    6800pF @ 20V

FET 功能       -

功率耗散(值)    2.5W(Ta),83W(Tc)

工作温度       -55°C~ 150°C(TJ)

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    PG-TDSON-8-1

封装/外壳      8-PowerTDFN


公司简介:

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