制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

SPD15P10PGBTMA1

规格

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  15A（Tc）

驱动电压（ Rds On，Rds On）      10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）   240毫欧 @ 10.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）  2.1V@ 1.54mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）    48nC @ 10V

Vgs（值）     ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）    1280pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（值）    128W（Tc）

工作温度       -55°C~ 175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    PG-TO252-3

封装/外壳      TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

公司简介：

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