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技术资料 / Data

IPS70R1K4P7S 英飞凌 晶体管

2020/6/18 14:11:13 IPS70R1K4P7S

制造商零件编号   

IPS70R1K4P7SAKMA1

 

描述      

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251


品牌:

英飞凌 | Infineon


规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)       700V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  4A(Tc)

驱动电压( Rds On,Rds On)      10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)   1.4欧姆@ 700mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值)  3.5V@ 40μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)    4.7nC @ 10V

Vgs(值)     ±16V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)    158pF @ 400V

FET 功能       -

功率耗散(值)    22.7W(Tc)

工作温度       -40°C~ 150°C(TJ)

安装类型       通孔

供应商器件封装    PG-TO251-3

封装/外壳      TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA


公司简介:

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