制造商零件编号   

IPP110N20N3GXKSA1

描述      

MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3

品牌：

英飞凌 | Infineon

规格：

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  88A（Tc）

驱动电压（ Rds On，Rds On）      10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）   11毫欧 @ 88A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）  4V@ 270μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）    87nC @ 10V

Vgs（值）     ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）    7100pF @ 100V

FET 功能       -

功率耗散（值）    300W（Tc）

工作温度       -55°C~ 175°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    PG-TO220-3

封装/外壳      TO-220-3

推荐型号：

IPP110N20N3 G

IPP320N20N3G

IPP60R170CFD7

IPP60R180P7

IPP60R190E6

IPP60R190P6

IPP60R360P7

IPP60R385CP

IPP65R074C6

公司简介：

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